日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

NAND闪存芯片的年市场规模为560亿美元，DRAM芯片的年市场规模为950亿美元，它们是从智能手机、数据中心服务器到自动驾驶汽车在内的一系列设备中必不可少的存储部件。

消息人士说，长江存储的NAND闪存芯片已经接到了一些国际和国内大型企业的订单，比如联想集团就计划在其销往国内外的电脑中都使用长江存储的芯片。

长江存储说，它预计其芯片将应用于各种用途。该公司说：“作为一家全球创新存储产品供应商，长江存储的目标是服务于全球市场。”

报道援引台湾光宝科技股份有限公司的一位高管的话说：“这是中国的一个里程碑。”他指出：“与三星电子、SK海力士和东芝存储（现铠侠控股）等大公司相比，长江存储的出货量可能看起来微不足道。但中国是一个真正的竞争者，因为它的营利理念与众不同。”该公司与长江存储的母公司清华紫光联合成立了合资企业。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。

日本《日经亚洲评论》杂志网站11月20日报道称，北京推动技术自给自足的努力即将取得重大突破。知情人士告诉《日经亚洲评论》记者，中国新兴芯片产业的产量有望在2020年底占到全球存储芯片总产量的5%左右，而这一占比在去年还几乎为零。

报道称，在过去几年里，将人工智能作为战略重点的北京投入了数以十亿计美元，从零开始建立一个能够独立发展的半导体产业。

据报道，生产NAND闪存芯片的长江存储科技有限责任公司预计，到明年年底，它投资240亿美元（1美元约合7元人民币）新建的武汉工厂的产量将增加两倍，达到每月6万片，占全球产量的5%。与此同时，长鑫存储技术有限公司在合肥投资80亿美元所建工厂的DRAM芯片产量将增加三倍，达到每月4万片，占世界DRAM产量的3%。

目前，NAND闪存和DRAM芯片——中国以前都没有生产过——的全球产量均为每月130万片左右。这两个市场都由美国、韩国和日本的制造商所主导，比如三星电子、SK海力士、美光科技和铠侠（原东芝存储器公司）。

报道称，据一位了解两个项目进展的人士说：“中国的这两个项目现在都还是小规模生产，但质量在不断提高。”他说：“从现在到明年，它们肯定都将扩大产量。”

长江存储拒绝就产出水平发表评论，只说它已于今年9月开始生产64层3D NAND闪存芯片，并将根据公司的计划提高产量，但没有对这些计划予以具体说明。长鑫存储也拒绝置评。